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低介电系数的多孔性氧化硅/CE复合材料的研究

发布时间:2024-03-04 19:51
  氰酸酯树脂(CE)作为一种高性能的树脂基体,在较宽的频率和温度范围内均能保持低且稳定的介电常数(κ)和介电损耗(tanδ),同时还具有良好的耐热性能、低收缩率和低吸湿率,这些性能决定了它作为高性能复合材料基体树脂的重要性。随着高频印刷电路板(PCB)及高性能透波材料的发展,要求聚合物具有更低的κ和tanδ、更优异的热学力学性能,利用多孔性无机填料改性聚合物已成为一种制备高性能复合材料的重要手段。本研究分别制备了笼型倍半硅氧烷G-POSS/CE复合材料、无机骨架介孔Si O2/CE复合材料以及结构功能化的POSS-MPS/CE复合材料,对其微观结构及相关性能进行了研究,阐明了多孔性氧化硅/CE复合材料的微观结构与性能之间的相关性。对共聚G-POSS/CE复合材料的研究发现,加入G-POSS后氰酸酯固化体系的固化温度存在明显降低。当加入4phr的G-POSS时,体系固化峰顶温度从287℃降为252℃。G-POSS的加入在提高CE韧性的同时也有效的降低了介电常数。当G-POSS的含量为4phr时,G-POSS/CE复合材料的介电常数由3.27降低至3.05,达到最低。介电损耗也同样随G-PO...

【文章页数】:85 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

图1-1POSS分子结构式

图1-1POSS分子结构式

20世纪40年代,ScottD.W首次合成了多面体低聚倍半硅氧烷(PolyhedligomericSilsesquioxanes,POSS),经过半个世纪的发展这一领域的相关研究了突飞猛进的发展。POSS是指一类具有分子内有机-无机杂化结构的新型有化合物,其分子结....


图1-2POSS的几种基本典型结构

图1-2POSS的几种基本典型结构

图1-2POSS的几种基本典型结构[14]着相关研究的发展,合成具有不同取代基功能化的POSS可以采取法。其主要的合成方法有以下3种。1)水解缩合法是合成POSS最直接的方法。采用三官能团有机硅单体RSiY3在酸能够直接获得多官能团POSS,其过程如图1-....


图1-3水解法制备多官能团POSS

图1-3水解法制备多官能团POSS

图1-2POSS的几种基本典型结构[14]关研究的发展,合成具有不同取代基功能化的POSS可以其主要的合成方法有以下3种。水解缩合法成POSS最直接的方法。采用三官能团有机硅单体RSiY3直接获得多官能团POSS,其过程如图1-3所示。


图1-4单官能团POSS合成路线

图1-4单官能团POSS合成路线

第一章文献综述(2)顶端-封角法目前,合成单官能团POSS的主要方法是“顶端-封角”法,即:首先有反应活性基团的三氯硅烷水解在溶液中,获得部分缩合结构的T7(OH)3加入带有活性基团的三氯硅烷,进行“封角”反应,最终获得封闭的笼型结成路线如图1-4所示。



本文编号:3919096

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