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含齐聚倍半硅氧烷的有机-无机纳米复合高分子材料的制备及结构与性能研究

发布时间:2024-03-13 04:03
  有机-无机杂化材料同时具备有机以及无机材料的特性,因此其研究及应用得到了迅速的发展。多面体齐聚倍半硅氧烷(Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane,POSS)是以硅氧键作为骨架具有笼型或环形结构的分子。制备含POSS的有机-无机杂化材料一般是通过两种方法:即化学方法与物理共混法。由于有机材料与无机材料相容性的差异,单纯的物理共混方法很容易导致材料的宏观相分离。化学方法是指对齐聚倍半硅氧烷进行改性使其具有反应性官能团或与基体材料相容的结构,以增加无机组分与基体的相容性。双夹板齐聚倍半硅氧烷(Double Decker Silsesquioxane,DDSQ)是一种典型的POSS分子。本文主要是通过硅醚化反应、硅氢化加成反应以及Heck反应等方法合成了不同取代基的四官能度齐聚倍半硅氧烷(DDSQ),并将其引入到高分子材料中制备了不同的有机-无机杂化材料,同时研究了这些含DDSQ的有机-无机杂化材料的结构与性能。主要研究内容如下:1.含DDSQ的有机-无机聚酰亚胺纳米复合材料的合成、结构与性能研究。通过5,11,14,17-四乙烯基DDSQ与对溴苯胺发生Hec...

【文章页数】:107 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

图1-11环形齐聚倍半硅氧烷的合成路线

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上海交通大学硕士学位论文1.2.2.3环形齐聚倍半硅氧烷的合成环形齐聚倍半硅氧烷(MOSS)是一种比较新型的环状立体的低聚硅氧烷。由Shchegolikhima等人[34-36]首次报道,并对其进行系统性的研究。MOSS的合成主要是在过渡金属或碱金属的存在下三烷氧基硅烷....


图1-16Heck反应机理示意图

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上海交通大学硕士学位论文Heck反应是指乙烯基与卤代烃在钯作为催化剂的条件下,形成新的C-C双键的反应[45]。Crisp等人[46]总结了关于Heck反应的反应机理,具体的反应机理如图1-16所示。图1-16为Heck反应的循环,通过Pd催化剂的氧化加....


图2.4-7有机-无机聚酰亚胺(DDSQ13%)的照片

图2.4-7有机-无机聚酰亚胺(DDSQ13%)的照片

图2.4-7有机-无机聚酰亚胺(DDSQ13%)的照片Figure2.4-7Photosoforganic-inorganicpolyimidewithDDSQ13%为了观察POSS分子在有机-无机聚酰亚胺中的分散情况,我们通过TEM对其形态结构进行....


图2.4-8有机-无机聚酰亚胺纳米复合材料的TEM照片:A,B,C,D,E分别代表5,11,14,17-四苯胺基DDSQ含量为4、8、13、19和25wt%Figure2.4-8TEMmicrographsoftheorganic-inorganicpolyimidescontaining:A)4,B)8,C)13,D)

图2.4-8有机-无机聚酰亚胺纳米复合材料的TEM照片:A,B,C,D,E分别代表5,11,14,17-四苯胺基DDSQ含量为4、8、13、19和25wt%Figure2.4-8TEMmicrographsoftheorganic-inorganicpolyimidescontaining:A)4,B)8,C)13,D)

-32-2.4-8有机-无机聚酰亚胺纳米复合材料的TEM照片:A,B,C,D,E分别代表5,11,14,17-胺基DDSQ含量为4、8、13、19和25wt%gure2.4-8TEMmicrographsoftheorganic-inorg....



本文编号:3927158

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