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电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能

发布时间:2022-01-25 06:26
  采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了AZ31B/Cu的扩散连接。利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布。采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试。结果表明:AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu。扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、(α-Mg+Mg2Cu)共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节。当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa。 

【文章来源】:材料工程. 2015,43(02)北大核心EICSCD

【文章页数】:6 页

【部分图文】:

电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能


图1实验装置示意图Fig.1Schematicdiagramofapparatus

微观形貌,连接界面,微观形貌


第43卷第2期电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能Mg2Cu向Cu一侧扩散,并且Mg、Al原子的活性较Cu原子强,因此反应扩散基本发生在靠近Cu基体的一侧,故在Mg2Cu扩散溶解层中靠近MgCu2处生成了少量的MgCuAl化合物。图2AZ31B/Cu连接界面的微观形貌(a)SEM;(b)TEMFig.2MicrostructureoftheinterfacesbetweenAZ31B/Cucouple(a)SEM;(b)TEM当扩散温度升至475℃时,EDS分析结果表明扩散溶解层的结构没有明显变化,但是各层的厚度有所增加(见图3(a))。这是因为随着温度的升高,更多的原子借助能量起伏越过势垒进行迁移,同时金属内部空位浓度的提高也有利于扩散反应的进行。当扩散温度升至500℃时,扩散溶解层中出现了花纹状的共晶组织(见图3(b)中大圈所示),对其进行相成分分析发现,该组织为α-Mg和Mg2Cu的共晶体,其中浅色部分为Mg2Cu,深色部分为α-Mg。扩散溶解层中其余两层分别为Mg2Cu和MgCuAl,没有发现MgCu2层。结合Mg-Cu二元合金相图(见图3(c))可知,当扩散温度超过485℃时,初始形成的Mg2Cu层将与多余的Mg原子发生共晶反应形成α-Mg+Mg2Cu共晶组织,同时由于共晶液相的扩散能力较强且液相中Mg原子的浓度较大,因此共晶液相中的Mg原子在浓度梯度的作用下穿过Mg2Cu层向MgC

二元合金相图,二元合金相图,连接界面,形貌


度较大,因此共晶液相中的Mg原子在浓度梯度的作用下穿过Mg2Cu层向MgCu2层扩散,与MgCu2结合形成Mg2Cu,从而引起界面物相和形态的变化。同时由于共晶液相的形成,Cu原子向镁合金一侧扩散的阻力减小,大量的Cu原子向MgCuAl层扩散,在靠近镁合金基体一侧与活泼的Mg原子生成Mg2Cu,而在共晶温度以上Mg2Cu与Mg随之发生共晶反应形成α-Mg+Mg2Cu共晶组织(如图3(b)中小圈所示)。图3不同温度下AZ31B/Cu连接界面的SEM形貌及Mg-Cu二元合金相图(a)475℃;(b)500℃;(c)Mg-Cu二元合金相图Fig.3SEMimagesofAZ31B/CuinterfacesatdifferenttemperaturesandMg-Cubinaryalloyphasediagram(a)475℃;(b)500℃;(c)Mg-Cubinaryalloyphasediagram2.2扩散溶解层形成过程分析AZ31B/Cu连接界面的形成过程如图4所示。在扩散反应初期(见图4(a)),AZ31B/Cu连接界面相互接触,在压力的作用下实际接触面积逐渐增大,根据扩散溶解结晶理论[17],当镁合金与铜之间的距离达到扩散所需的物理条件后,在浓度梯度和电场的协同作用下Mg原子和Cu原子摆脱晶格束缚发生互扩散(见图4(b)),由于Cu几乎不溶于Mg,所以二者之间的连接主要通过Mg向Cu中进行扩散。当Mg在Cu中的

【参考文献】:
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硕士论文
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本文编号:3608051

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