当前位置:主页 > 科技论文 > 物理论文 >

Ge掺杂β-Ga 2 O 3 晶体的发光性能研究(英文)

发布时间:2022-12-04 03:48
  采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。 

【文章页数】:8 页

【文章目录】:
0 Introduction
1 Experiment
    1.1 Crystal growth
    1.2 Performance test
2 Results and discussion
    2.1 Structural characterization
    2.2 Optical properties
3 Conclusion


【参考文献】:
期刊论文
[1]混晶β-(Al,Ga)2O3的禁带调节(英文)[J]. 肖海林,邵刚勤,赛青林,夏长泰,周圣明,易学专.  无机材料学报. 2016(11)



本文编号:3707544

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/wulilw/3707544.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图

版权申明:资料由用户84c06***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱[email protected]