逻辑器件侧墙蚀刻工艺研究

发布时间：2022-12-08 05:56

　　我们正经历着一场全新的技术革命,这场技术革命的推动力正是半导体产业的不断发展,而推动半导体发展的又是其设计及制造工艺的不断创新。目前国际上的半导体制造工艺已经进入了纳米时代,世界级的制造大厂已经进入32nm工艺大生产阶段,并正朝着更小的工艺线宽前进；我国大批量生产的工艺线,八寸线主要还是0.13微米工艺,十二寸线则进入了65nm工艺。随着生产工艺线的持续使用和设备的不断老化,出现了很多新的问题。本文就八寸生产线0.13微米工艺侧墙蚀刻出现的问题,分三个部分展开研究。 对0.13微米工艺侧墙蚀刻工艺及其设备的研究：论文对0.13微米工艺做了分析,并对侧墙蚀刻工艺的原理及具体的蚀刻方法做了详细的研究,尤其是对侧墙的结构和氮化硅及二氧化硅的蚀刻进行了深入的研究。论文还对侧墙蚀刻的Super E设备的结构及各部件的特性做了详细的分析。 对侧墙蚀刻中出现的对良率影响非常大的缺陷问题进行了研究,并最终找出了问题的真正原因。论文先是从蚀刻设备的角度尝试寻找解决问题的办法,包括常用的部件及真空系统等,但效果并不明显。又采用了正交实验的方法,按蚀刻步骤逐步分析工艺参数中影响缺陷的因素... 

【文章页数】：58 页

【学位级别】：硕士

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目录
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引言
    1.2 蚀刻与侧墙蚀刻工艺
    1.3 论文的意义与结构
第二章 侧墙蚀刻工艺与蚀刻机台
    2.1 0.13微米侧墙蚀刻工艺的介绍
        2.1.1 0.13微米工艺的简介
        2.1.2 侧墙蚀刻与蚀刻要求
        2.1.3 侧墙蚀刻中的二氧化硅蚀刻
        2.1.4 侧墙蚀刻中的氮化硅蚀刻
    2.2 侧墙蚀刻机台介绍
        2.2.1 蚀刻设备的发展
        2.2.2 Spuer E机台的介绍
    2.3 小结
第三章 侧墙蚀刻造成的缺陷的研究
    3.1 侧墙缺陷的介绍
    3.2 蚀刻设备与侧墙缺陷关系的研究
        3.2.1 密封圈对侧墙缺陷的影响
        3.2.2 气体流量分配盘对侧墙缺陷的影响
        3.2.3 反应腔体对侧墙缺陷的影响
        3.2.4 真空系统对侧墙缺陷的影响
    3.3 正交实验分析工艺参数对侧墙缺陷的影响
        3.3.1 TEOS ME对改善侧墙缺陷的实验与分析
        3.3.2 TEOS OE对改善侧墙缺陷的实验与分析
        3.3.3 SIN ME对改善侧墙缺陷的实验与分析
        3.3.4 SIN OE对改善侧墙缺陷的实验与分析
    3.4 改进工艺步骤,提高设备性能
    3.5 小结
第四章 控制侧墙蚀刻后残余二氧化硅厚度的研究
    4.1 残余二氧化硅的作用与其控制
    4.2 调整蚀刻工艺参数,以控制残余二氧化硅的厚度
        4.2.1 SIN ME对残余二氧化硅厚度的影响
        4.2.2 SIN OE对残余二氧化硅厚度的影响
        4.2.3 调整O2导致WAT电性变化
    4.3 吸附电压、温度和磁场与残余二氧化硅厚度的关系
        4.3.1 吸附电压效应
        4.3.2 温度效应
        4.3.3 磁场效应
    4.4 残余二氧化硅厚度改善的结果
第五章 结论
参考文献
致谢



本文编号：3713689