逻辑产品后段工艺改善

发布时间：2023-12-26 19:43

　　半导体工艺技术不断在发展,随着器件尺寸不断缩小,超大规模集成电路(ULSI)工艺越来越复杂,后段金属连线的尺寸也越来越缩小,金属生长和刻蚀等后段工艺的污染颗粒控制已经成为保持高成品率和高生产效率的关键问题之一,使得工艺对缺陷控制的要求越来越高。而缺陷也是影响成品率的最直接的因素之一。 本论文对在线检测技术的原理和逻辑产品的工艺进行了介绍,重点针对作者所在单位逻辑产品后段金属化工艺中出现的三种最严重缺陷进行分析和研究。缺陷是在生产制造中引进的,而最终解决缺陷问题也是通过改进工艺来完成的。本文通过大量的研究实验和理论分析,寻找解决缺陷问题、优化工艺制程的方案,获得了以下主要结果: 1.发现了甜甜圈状缺陷的产生机理并获得了抑制方法。在Al线刻蚀后在线检测发现环形类似甜甜圈状的缺陷,分布从晶圆中心到周边逐渐加重。通过跟踪良率反馈,发现其对良品率有很大损害。通过失效分析、机理研究等方法确认它是低质量的氮化钛薄膜导致甜甜圈状缺陷的产生。本文通过薄膜应力的理论分析探索了缺陷产生的机理,通过实验研究了解决缺陷问题的方法,最终获得优化方案解决了这种缺陷问题。 2.发现了小丘状缺陷的产生机理并获得了抑制方...

【文章页数】：62 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
中文摘要
英文摘要
第一章 绪论
第二章 在线检测技术的原理和逻辑产品工艺的介绍
    2.1 在线检测技术
    2.2 逻辑产品工艺
        2.2.1 逻辑产品工艺介绍
        2.2.2 逻辑产品金属化要求
第三章 后段工艺中的三种严重缺陷的产生机理及解决方法研究
    3.1 甜甜圈状缺陷
        3.1.1 缺陷分析与实验调查
        3.1.2 产生机理
        3.1.3 解决方案与工艺改进
    3.2 小丘状缺陷
        3.2.1 缺陷分析与产生机理调查
        3.2.2 解决方案与新工艺的产生
    3.3 晶须突出缺陷
        3.3.1 缺陷机理分析与实验调查
        3.3.2 新工艺解决方案
        3.3.3 钨化学机械抛光法解决方案
        3.3.4 几种解决方案的讨论
第四章 后段金属化工艺改善方案
第五章 全文总结
参考文献
致谢



本文编号：3875438