铟镓锌氧薄膜晶体管和非易失性存储器的制备及性能研究

发布时间：2024-03-04 01:02

　　近年来,以非晶铟镓锌氧(α-InGaZnO:IGZO)为代表的氧化物半导体得到了不断发展与广泛应用。例如,基于IGZO沟道的薄膜晶体管(TFTs)已经开始部分替代传统非晶硅晶体管应用在平板显示器中。IGZO是一种性能优异的n型氧化物半导体,电子迁移率高,带隙较宽且在可见光范围透明,可以低温大面积均匀成膜,因此非常适用于透明柔性电子产品的制备。而随着可穿戴设备的迅速发展,寻找适用于这些电子产品的存储器也越来越重要。在存储器设备中,有两类最基本的单元器件:选通晶体管和非易失性存储单元器件,而这两类器件单元就是本论文的研究重点。本论文的主要工作之一是研究适合作为选通晶体管应用到存储电路中的低电压操作IGZO TFTs。另外,在目前商业应用中仍是以电荷俘获型存储器(CTM)以及浮栅型存储器(FGM)为主的非易失性存储单元器件,而前者因为更适用于现在的三维闪存(3DNAND)集成技术,所以近年来得到了科研人员的广泛关注与研究。但是,由于传统的存储器件单元都是硅基器件,不适用于透明柔性电子产品当中。因此,本论文的主要研究工作还包含了开发基于IGZO沟道的CTM器件,通过改善栅堆栈层的特性来实现存储...

【文章页数】：165 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

图１．２．１薄膜晶体管结构示意图

到人们的关注，??其中透明柔性的非易失性存储器也是研宄重点因此想实现透明柔性的存储??器，就需要同时实现这两类基本单元的低温制备。在接下来的１．２节中将主要介??绍可以起到选通作用的薄膜晶体管，１．３节中围绕传统电荷俘获型存储单元进行??介绍，１．４节则以阻变存储器为主，对新型存....

图１．２．２晶态和非晶态半导体中载流子的传输

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图１．３．２（３坏０１＾和（的０頂存储器结构示意图

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图１．３．３（ａ）浮栅存储器编程、擦除时／Ｄ－ＦＧ变化曲线

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本文编号：3918642