线粒体自噬在血管性认知障碍中的研究进展

发布时间：2024-03-10 02:34

　　<正>血管性认知障碍(vascular cognitive impairment,VCI)指由脑血管病的危险因素(高血压病、糖尿病、高脂血症和高同型半胱氨酸血症等)、显性脑血管病(脑梗死和脑出血等)及非显性脑血管病(白质疏松和弥漫性脑缺血等)引起的一组从轻度认知损害到痴呆的综合征。线粒体是缺血后神经细胞死亡的关键靶区,机体可通过自噬控制线粒体数量,其功能紊乱是慢性脑低灌注(chronic cerebral hypoperfusion,CCH)、脑缺血再灌注损伤(cerebral ischemia reperfusion injury, CIR)所致VCI的主要机制。通过阐述线粒体自噬机制及其在CCH、CIR所致VCI中的作用,有利于寻找药物作用靶点,早期干预VCI的发生发展,提升患者生存质量。

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【文章目录】：
1 线粒体自噬
    1.1 线粒体自噬相关分子通路
        1.1.1 PINK1/Parkin分子通路
        1.1.2 HIF-1α/BNIP3/Beclin1信号通路
        1.1.3 PI3K-Akt-m TOR通路
    1.2线粒体动力学变化
2 线粒体自噬与血管性认知障碍
    2.1 线粒体自噬与慢性脑低灌注导致的血管性认知障碍
        2.1.1 作用机制
        2.1.2 相关靶点治疗
    2.2 线粒体自噬与脑缺血再灌注损伤导致的血管性认知障碍
        2.2.1 作用机制
        2.2.2 相关靶点治疗



本文编号：3924109