WS 2 /MoS 2 异质结的制备与光电特性

发布时间：2024-06-15 06:08

　　主要研究了硫化钨(WS₂)/硫化钼(MoS₂)薄膜异质结的制备及其光电特性。首先以WS₂粉末为原料,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积WS₂薄膜,然后以MoS₂粉末为原料在WS₂薄膜表面沉积MoS₂薄膜形成WS₂/MoS₂异质结。利用原子力显微镜(AFM)观察发现制备的WS₂和MoS₂薄膜大面积均匀,表面分布密集的纳米粒子,高度分别约为0.8 nm和50 nm。WS₂/MoS₂异质结对可见光有良好的吸收特性,并随光功率的增加,流过异质结的光电流也显著增加。另外,还发现WS₂/MoS₂异质结在温度和工作频率改变时I-V曲线也出现明显变化。随温度升高,流过异质结的电流显著增加,而随工作频率的增加,异质结的电容迅速减小。以上研究结果表明,WS₂

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3995046