中国电科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片

发布时间：2024-01-29 10:33

　　<正>中国电子科技集团公司第十三研究所基于自主开发的工艺,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面沟道结构,在栅极电压20 V、漏极电压2.0 V时,漏源导通电流达20 A,阈值电压达1.6 V,1 200 V下器件的泄漏电流小于10μA,沟道反型层载流子迁移率达17.0 cm2·V^-1·s^-1,n型欧姆接触电阻率小于5×10^-5Ω·cm²,芯片面积为4.5 mm×4.5 mm。该芯片可封装为TO-247形式,应

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