基于IPD工艺的无反射带阻滤波器

发布时间：2024-02-04 04:56

　　设计了一款基于集成无源器件(IPD)技术的无反射带阻滤波器。它能将阻带反射回的信号吸收掉,从而可以提高电路的线性度。在无反射低通滤波器的电路拓扑结构下,采用变换的形式设计出电路,使用电子设计自动化软件(ADS)和三维全波电磁场仿真软件(HFSS)完成无反射带阻滤波器的建模与仿真。该滤波器的中心频率为4.11 GHz,阻带频段为1.52～6.70 GHz,阻带抑制大于等于14.47 dB,通带插入损耗小于0.7 dB,相对带宽为79%。在毫米波滤波器引入IPD结构,使得滤波器更加小型化,有利于优化滤波器的尺寸,模型的整体尺寸仅为0.9 mm×1 mm×0.1 mm。通过三维电磁仿真实验,验证了该无反射带阻滤波器的可行性。

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

图1无反射带阻滤波器的等效电路

根据无反射低通滤波器[10]和其变化关系推出其带阻滤波器的相关电路[11],即:电感由电感和电容的并联谐振替换;电容由电容和电感的串联谐振替换[12-13]。最终得到的无反射带阻滤波器电路图如图1所示。下面通过理论推导验证其无反射的可行性。将其划分为奇偶模,分别对其进行理论分析。....

图2偶模(Zeven)等效电路

下面通过理论推导验证其无反射的可行性。将其划分为奇偶模,分别对其进行理论分析。Zeven、Zodd等效电路分别如图2和图3所示。图3奇模(Zodd)等效电路

图3奇模(Zodd)等效电路

图2偶模(Zeven)等效电路图中元件值均为单位值,则奇偶模等效电路的阻抗推导为:

图4GaAs衬底的IPD工艺叠层示意图

图4是本文设计采用的一种GaAs衬底的IPD工艺叠层示意图。该IPD工艺总共采用6层薄膜,N1、N2、N3层均为氮化硅材料,PV层为聚酰亚胺材料,GaAs层为砷化镓材料。M0层为金属接地层。

本文编号：3895247