铟镓锌氧薄膜晶体管的制备和界面修饰对其性能影响的研究

发布时间：2024-02-26 05:01

　　随着智能手机、电视和可穿戴设备的发展,显示技术发挥着越来越重要的作用。薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是显示技术核心器件。传统的薄膜晶体管已经无法满足现代显示技术的要求,铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT)具有高迁移率、透光率好等优异性能,已经成为国内以维信诺为首的面板公司大力发展的技术,并且对薄膜晶体管的质量、性能都提出了更高的要求。利用IGZO薄膜作为沟道层制备出的薄膜晶体管具有特殊的优点:透明性好、高载流子迁移率、在常温下即可制备,由此开启了新一代显示技术的研究浪潮。本文主要研究了不同氧氩比对IGZO薄膜透光率和电学性能的影响,退火气氛和温度对IGZO-TFT性能的影响,界面修饰对IGZO-TFT性能的影响,为IGZO-TFT工业化应用打下了基础。通过研究IGZO薄膜的透光率,发现在不同氧氩比下制备出的IGZO薄膜,其透光率均在83%以上,这是由于在室温下利用磁控溅射制备出的IGZO薄膜是非晶状态,能够减少入射光的散射,并且因为IGZO薄膜表面光滑,对散射影响很小,所以在可见光范围内,IGZO薄膜具有很好的透光效果。IGZO薄膜的透光率和光学禁带宽...

【文章页数】：77 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1.1几种常见薄膜晶体管结构

图1.1几种常见薄膜晶体管结构1.2.3薄膜晶体管主要性能参数薄膜晶体管通常根据其输出特性曲线和转移特性曲线进行判断[13]。如果想知道若干TFT器件特性的好坏，通常的做法就是比较转移特性曲线。另外还有一种方法就是通过比较薄膜晶体管性能的参数来描述不同TFT器件的操....

图1.2IGZOTFT结构

图1.2IGZOTFT结构图1.3透明薄膜晶体管实物07年，Hosono[38]团队通过对Dirichlet分布分析并得到了IGZO的结构们又从能带理论探讨了非晶铟镓锌氧载流子迁移的机理。得出这样的结在非晶硅中掺杂氢而言，即使在非晶铟镓锌氧注入少量电子，铟....

图1.3透明薄膜晶体管实物

图1.2IGZOTFT结构图1.3透明薄膜晶体管实物07年，Hosono[38]团队通过对Dirichlet分布分析并得到了IGZO的结构们又从能带理论探讨了非晶铟镓锌氧载流子迁移的机理。得出这样的结在非晶硅中掺杂氢而言，即使在非晶铟镓锌氧注入少量电子，铟....

图1.4载流子传输路径示意图

1绪论空位，以控制薄膜中的电子浓度，抑制IGZO薄膜晶ZO薄膜形成四面体结构，从而保持整个结构有很薄膜的导电机理一种N型半导体材料，要研究IGZO薄膜的导电机理部电子输运性能。非晶硅材料的导电通道是由sp3具有方向性，sp3杂化导致在载流子输运的时候，会此，对....

本文编号：3911369