原位化学氧化构建高性能MoS 2 -MoO 3 面内同质异质结光敏晶体管(英文)

发布时间：2024-04-14 22:34

　　由组成相同的材料构建具有清晰边界的平面内p-n异质结是二维晶体管研究面临的主要挑战之一,在下一代集成电路和光电器件领域具有重要的潜在应用.因此有必要开发一种可实现p-n界面的简便、可控的操作方法.硫化钼(MoS₂)作为一种具有原子层厚度的n型半导体材料已经在电子学和光电子学领域展现出巨大的应用前景.在本研究中,我们通过KI/I₂溶液化学氧化诱导方法实现了从n型MoS2^到p型MoO₃的原位转化,进而形成了横向面内p-n异质结.MoS₂/MoO₃ p-n异质结显示出高效的光响应和整流特征,0 V、～3.6 mA W^-1条件下最大外部量子产率达到～650%,同时光开关比达到～10².构筑的p-n异质结的高性能也被光电流面扫描所证实.由于器件在低源漏电压(V_DS)和栅压(V_G)条件下具有高的光响应性能,MoS₂/MoO₃ p-n二极管...

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【文章目录】：
INTRODUCTION
METHODS
    Synthesis of MoS2films
    Construction of p-n diode by KI/I2solution
    Electrical and optoelectrical measurements
    Characterization
RESULTS AND DISCUSSION
CONCLUSIONS



本文编号：3955330