基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）

发布时间：2024-05-21 20:58

　　在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Vgs=1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果.

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【部分图文】：

图1InAlN/GaNHFETs器件截面示意图(a)和扫描电镜平面图(b)

红外与毫米波学报36卷Fig．1(a)Schematiccrosssectionand(b)theSEMplanformofthefabricatedInAlN/GaNHFETs图1InAlN/GaNHFETs器件截面示意图(a)和扫描电镜平面图(b)sidewallobliqu....

图2再生长欧姆接触TLM结果

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图3InAlN/GaNHFETs器件直流输出曲线(a)和转移特性曲线(b)

1期YINJia-Yunetal:fT=220GHzInAlN/GaNHFETswithregrownohmiccontactsFig．3DCoutput(a)andtransfer(b)characteristicsofthefab-ricatedInAlN/GaNHFETs图....

图4小信号射频性能(a)和模型参数(b)

νsatvalueismuchlowerthanthetheoreticalone3×107cm/s，［18］thisismainlybecausethatthecalculat-edνsatvalueisextrinsic，whichdoesnotconsiderthein-f....

本文编号：3979914