面向VLSI的门级单粒子效应评估技术

发布时间：2024-03-19 05:59

　　由于空间辐射环境充满了各类射线和高能粒子,非常容易诱发集成电路发生单粒子效应,因此有必要开发对应的评估技术,分析单粒子效应对超大规模集成电路(VLSI)的影响。以ISCAS89测试基准电路为主要研究对象,提出了一种适用于VLSI的单粒子效应评估技术,可以通过脚本自动生成仿真和测试文件,实现任意节点的故障注入,并可以在任何一种支持硬件描述语言的EDA仿真工具上进行评估。分别对使用三模冗余技术、自刷新寄存器技术加固后的电路和原始电路进行了对比评估。评估结果符合逻辑,验证了门级单粒子效应评估测试技术的有效性。通过提出的评估技术,可以快速评估电路的抗辐射能力,提高查找设计缺陷、对电路进行针对性加固的效率,对于提高集成电路的安全性和稳定性有着重要的应用价值。

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【文章目录】：
1 门电路单元的HDL级建模
    1.1 参数定义
    1.2 电路原始逻辑
    1.3 单粒子事件描述
2 超大规模集成电路的分析流程
3 仿真验证
4 结束语



本文编号：3932436