同步辐射光电离质谱检测氟原子在二氧化硅表面反应产物

发布时间：2021-02-19 16:09

　　采用微波放电等离子体源产生高密度F原子,结合同步辐射真空紫外光电离质谱全面检测F原子在二氧化硅表面刻蚀反应的产物,并探究其反应机理。通过扫描同步辐射光子能量,获得具有特定质量选择的离子光电离效率谱,测量了反应产物的电离能及碎片离子的出现势等基本参数;同时结合量子化学理论计算质谱中离子的来源,即对光电离和光解离过程进行了区分。结果表明,F原子在二氧化硅表面会反应生成一系列的氟氧硅化合物（Si_xO_yF_z）,主要包括SiF₄、SiF₃OSiF₃和SiFOSiF₂OF等,质谱中观察到的SiF₃⁺、SiF₃OSiF₂⁺等离子信号来源于其对应母体离子的解离碎片。实验测得SiF₄的电离能为15.85eV,SiF₃⁺和SiF₃OSiF²⁺

【文章来源】：质谱学报. 2020,41(01)北大核心

【文章页数】：9 页

【文章目录】：
1 实验部分
    1.1 实验装置
    1.2 理论计算
2 结果与讨论
    2.1 微波放电效率
    2.2 光电离质谱
    2.3 光电离效率谱
3 结论与展望


【参考文献】：
期刊论文
[1]卷烟主流烟气中几种醛酮的光电离质谱研究[J]. 王健,潘洋.  质谱学报. 2012(05)
[2]二氧化硅的干法刻蚀工艺研究[J]. 严剑飞,袁凯,太惠玲,吴志明.  微处理机. 2010(02)
[3]等离子体刻蚀工艺的物理基础[J]. 戴忠玲,毛明,王友年.  物理. 2006(08)

硕士论文
[1]硅同位素丰度的测定及水分标准物质研究[D]. 李喜乐.北京化工大学 2011



本文编号：3041357