集成电路用电子级多晶硅沉积工艺研究

发布时间：2023-08-26 03:34

　　随着集成电路产业近年来的高速发展,对可用于12寸晶圆的高纯电子级多晶硅的需求不断提升,但是国内少数厂家仅能进入中低端市场,在高端领域始终被国外技术垄断。多晶硅主流的生产工艺是改良西门子法,其核心工序为化学气相沉积,配方、流场和温场分布、硅棒温度等因素对产品能物耗和质量影响。二氯二氢硅作为辅助原料,可提高沉积速率,降低生产能耗和物耗。通过对原料中二氯二氢硅进行独立控制,研究发现二氯二氢硅在气相沉积的不同时期,对于效率提升和产品纯度的增益比例有明显差异,在10%～13%的区间内会形成拐点,实验结果显示二氯二氢硅在前期和中前期应控制在10%,中后期降低至5%～7%,可获得较好的结果。

【文章页数】：4 页


本文编号：3843872