小尺寸SCB裸桥与涂LTNR时的电爆发火特性

发布时间：2022-12-10 06:47

　　为了研究小尺寸半导体桥（Semiconductor Bridge,SCB）裸桥和涂斯蒂芬酸铅（Lead Styphnate,LTNR）时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电（Late Time Discharge,LTD）过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析。结果表明:裸桥和涂药SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关。随着电压的提高,裸桥和涂药SCB的LTD能量及时间按照指数规律上升,发火之后的掺杂单晶硅层汽化的面积会不断扩大。裸桥和涂药SCB所有电爆发火样品的电爆能量平均值分别为34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂药在电爆过程中吸收能量较少,对电爆能量的影响很小。 

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 试验过程
    1.1 试验样品情况
    1.2 试验装置及原理
2 结果与讨论
    2.1 裸桥及涂药SCB电爆发火电信号特征
    2.2 裸桥及涂药SCB电爆发火能量及时间特性分析
        2.2.1电爆能量及电爆时间特性分析
        2.2.2后期放电能量及时间特性分析
        2.2.3发火能量及时间特性分析
        2.2.4涂药SCB发火延滞期特性分析
        2.2.5能量利用率特性分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体桥芯片性能影响因素的研究[J]. 刘忠山,刘国应,莫元玲.  火工品. 2015(04)
[2]半导体桥裸桥与装LTNR时的点火特性[J]. 马鹏,张琳,朱顺官,张垒,陈厚和.  爆炸与冲击. 2011(03)
[3]半导体桥长宽比对其发火性能的影响[J]. 周彬,秦志春,毛国强.  南京理工大学学报(自然科学版). 2009(02)
[4]半导体桥的设计分析[J]. 祝逢春,秦志春,陈西武,周彬,徐振相.  爆破器材. 2004(02)
[5]半导体桥（SCB）的研究[J]. 周蓉,岳素格,秦卉芊,张玉才,胡思福.  半导体学报. 1998(11)

博士论文
[1]微尺寸起爆系统关键技术及应用研究[D]. 鲍丙亮.北京理工大学 2016

硕士论文
[1]低发火能量、高安全性半导体桥的研究[D]. 毛国强.南京理工大学 2007
[2]半导体桥等离子点火特性研究[D]. 王文.南京理工大学 2007



本文编号：3716281