复杂过渡金属氧化物的电阻开关行为研究

发布时间：2024-01-30 00:33

　　在一些金属／绝缘体／金属的三明治结构组成的电阻式随机存储器(RRAM)中,人们只需通过不同电场脉冲就能控制器件的非挥发性状态(高阻态或者低阻态)。RRAM器件具有结构简单、功耗低、速度高、集成密度高等优良性能,受到越来越多的关注,被认为是下一代新型非挥发性存储器的强有力候选者之一。然而,目前这类器件因电阻开关存储机制不够清晰,以及性能不够稳定等原因,还无法得到大规模的应用。因此,继续研究电阻开关存储机制以寻找高性能RRAM器件材料已成为当前重要的研究课题之一。 过渡金属氧化物材料往往是强关联电子系统,有着丰富而奇特的物理性质,是高性能RRAM研究中重要的选择材料之一。本论文从不同角度研究了庞磁电阻锰氧化物和掺杂铁电氧化物的电阻开关性能及其产生机制,具体的内容安排如下： 第一章我们简述了RRAM研究的背景和最新进展。首先简述了几种基于电阻的新型非挥发性存储器,然后重点介绍了RRAM的工作方式、结构与集成、物理机制、以及材料体系,最后简要介绍了钙钛矿锰氧化物与电阻开关效应相关的最新物理进展。 第二章研究了锰氧化物La0.5Ca0.5Mn0.95Fe0.05O3和La0.225Pr0.4Ca...

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图1.1所示，改变磁化方向就是改变上自由层(也称上磁铁电

图1.2铁电性和磁性共存的多铁性材料及其中铁电性和磁性的相互调控122]

图1.5相变材料的晶态-非晶态转变[2]

图1.6RRAM存褚毕元`/}真黛磁司Z6J

本文编号：3889144