Fe/Sn共掺杂In 2 O 3 稀磁半导体薄膜的磁性和输运性质

发布时间：2022-11-12 15:05

　　采用脉冲激光沉积方法在Al₂O₃衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In_0.93Fe_0.05Sn_0.02)₂O₃薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制。(In_0.93Fe_0.05Sn_0.02)₂O₃薄膜为单相立方In2O3结构,Fe和Sn取代了In2O3中In的位置。在不同氧气分压下制备的(In_0.93Fe_0.05Sn_0.02)₂O₃薄膜具有明显的室温铁磁性,随着氧气分压的增加,薄膜的铁磁性减小。输运测量表明,(In_0.93Fe_0.05Sn_0.02)₂O₃薄膜为n型... 

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
    1.1 样品制备
    1.2 表征手段
2 结果与讨论
    2.1 XRD测试结果分析
    2.2 磁性测试结果分析
    2.3 输运测试结果分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]磁控溅射法制备Zn1-xFexO薄膜的微结构及铁磁性研究[J]. 更藏多杰,马书懿,李文琪,毛玉珍,罗晶,程亮.  功能材料. 2014(21)
[2]氧化物稀磁半导体的研究进展[J]. 许小红,李小丽,齐世飞,江凤仙,全志勇,范九萍,马荣荣.  物理学进展. 2012(04)
[3]Zn、Pr共掺In2O3陶瓷材料的高温热电传输性能[J]. 成波,刘勇,刘大博,林元华,南策文.  功能材料. 2012(14)



本文编号：3706587