一种新型量子点胶束的制备及其细胞成像研究

发布时间：2024-03-04 01:21

　　目的对水热法合成的硅量子点进行疏水化修饰,制备一种基于量子点的胶束,并探讨其在细胞成像中的应用。方法以抗坏血酸和3-[2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷为原料,采用水热法合成硅量子点(SiQD),用十八烷基三甲氧基硅烷对SiQD表面进行疏水化修饰获得O-SiQD,将其与DSPE-PEG2000自组装得到在水中能稳定分散的胶束粒子(QDM),用透射电子显微镜(TEM)、丁达尔效应和动态光散射(DLS)等对其性能进行表征;应用CCK-8试剂盒检测QDM的细胞毒性;利用高内涵细胞成像系统评价QDM的细胞成像性能。结果 TEM结果显示SiQD的粒径为(3.64±0.11)nm;DLS表明QDM分布均匀,水合粒径为(86.79±1.18)nm,表面电势约为(-11.65±0.64)mV;QDM(<100 μg·mL^-1)无明显细胞毒性;QDM与A549细胞孵育6 h后,在细胞胞浆内能检测到较好的量子点荧光信号。结论 O-SiQD的合成方法简单高效,安全剂量的QDM具有较好的胞内成像功能。

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【部分图文】：

图3SiQD的性质表征

图2SiQD的粒径表征图4O-SiQD的性质表征

图5QDM的表征

3.3QDM的细胞毒性研究及其细胞成像图6QDM的细胞成像实验

图1O-SiQD(A)合成及QDM(B)制备示意图

利用十八烷基三甲氧基硅烷对SiQD表面进行疏水化修饰,制备疏水性硅量子点O-SiQD。由图4A可知,SiQD经修饰后,由原来的亲水性转变为疏水性,可以溶于氯仿中。对比SiQD与O-SiQD的红外吸收光谱图(见图4B),O-SiQD在2920cm-1和1468cm-1处有明显C....

图2SiQD的粒径表征

O-SiQD与DSPC-PEG2000通过薄膜水化法自组装形成了QDM,当使用激光光束照射时,能观察到明显的丁达尔效应,且保留着发光性能(见图5A),QDM的TEM图显示其接近球形(见图5B),水合粒径为(86.79±1.18)nm(见图5C),表面电势为(-11.65±0.64....

本文编号：3918662