控制器组件γ瞬时辐射效应研究

发布时间：2017-07-29 18:02

  本文关键词：控制器组件γ瞬时辐射效应研究

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【摘要】：瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动,导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响,而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响。为此对由DC/DC、稳压器、单片机CPU,FPGA等组成的控制器组件在2.8×10~5~1.7×10~7 Gy(Si)/s的范围内开展了γ瞬时辐射效应的试验研究。试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明,在较小的瞬时剂量率下,部分器件输出受到影响,但组件功能正常;较大剂量率时,所有器件均受影响,且组件功能中断。同时观测到瞬时辐射形成的扰动信号在器件间传输现象。
【作者单位】： 上海宇航系统工程研究所;
【关键词】： 电子系统 瞬时辐照效应 γ剂量率
【基金】：装备预先研究项目
【分类号】：V443;V419
【正文快照】： 在空间卫星系统中存在大量电子系统,而控制器组件更是电子系统中的典型核心单元之一,但其在辐射环境中将会发生性能退化或功能失效,成为制约其在辐射环境下可靠性的关键因素。γ瞬时辐照引起器件感生明显的光电流,从而产生瞬时干扰电压和电流脉冲,对控制器的工作状态构成瞬时

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本文编号：590376